對于光刻工藝是制造的微細高密度的復雜的圖形組成，等高精度的微機械細紋的主集成電路的方法中的一個。這是一個重要的手段納米工藝制造。其原理是相似的光刻光刻，這是一個關(guān)鍵的技術(shù)掌握，曝光和蝕刻。

光刻技術(shù)加工企業(yè)可以發(fā)展分為以下兩個不同階段，對鉤網(wǎng)介紹說，第一階段是原版制作，生成微細結(jié)構(gòu)復雜環(huán)境圖形的工作原版或工作掩膜，為光刻加工時用；第二階段是光刻。

第一階段：原始作品的制作

1、 原圖繪制

設(shè)計圖紙，在與上稱為刻紅膜中的圖案化的材料，一般比最終希望的圖像大的刀繪圖儀放大數(shù)次。

2、 縮版、殖版制作

將原圖用縮放機縮成規(guī)定的尺寸，即成縮版。縮版視原圖進行放大倍數(shù)有時要多次出現(xiàn)重復不斷縮小我們才能發(fā)展得到。如果要大量企業(yè)生產(chǎn)經(jīng)營同一形狀制品，可用縮圖在分布可以重復照相機上制成具有多個想吐圖形排列的殖版。

3.工作原件或工作面具制作

簡化版本，定植的平版板可直接加工，但通常保持作為主，但施工從主副本版本形成成為原始光刻時，掩模或作業(yè)變得原來的工作。

原版的制作時光刻工藝加工企業(yè)技術(shù)的關(guān)鍵，其尺寸進行精度、圖象對比度、照片濃淡、深淺等都將可以直接產(chǎn)生影響包括光刻加工的質(zhì)量。

第二階段：光刻

1、 涂膠

將光刻膠涂在半導體襯底的氧化膜上的過程稱為涂層.. 光刻膠可分為正膠和負膠，在開發(fā)圖中去除被照亮部分的膠層，形成“窗口”為負膠，反之亦然為正膠。 涂層要求厚度和厚度均勻，常用的涂層方法包括旋轉(zhuǎn)（離心）傾倒、浸漬、噴涂和印刷。 特殊設(shè)備。

2、 曝光

從光致抗蝕劑通過形成掩模工作，即曝光涂覆光源發(fā)射的光束。這種曝光被稱為投影曝光，也被稱為復制。公共源極的電子束，X射線，遠紫外射線，離子束等。的曝光光束也聚焦為微小光點，通過數(shù)字掃描，繪圖光致抗蝕劑涂層上形成圖案，稱為掃描曝光。又稱寫的地圖。這種預曝光不原創(chuàng)作品，而是要設(shè)計出準備掃描跟蹤程序。公共源極的電子束，離子束。

3、 顯影與烘片 

（1） 顯影：曝光后的光致抗腐蝕劑，其分子進行結(jié)構(gòu)發(fā)展產(chǎn)生學習化學環(huán)境變化，在特定溶劑或水中的溶解度也不同，利用網(wǎng)絡(luò)曝光區(qū)和非曝光區(qū)的這一文化差異，可在一個特定溶劑中把曝光圖形設(shè)計呈現(xiàn)不斷出現(xiàn)，這就是顯影。

（2）烘焙：一些光刻膠在干燥后發(fā)展，進行高溫處理，使其發(fā)生熱聚合以提高強度，稱為烘焙。

4、 刻蝕

通過化學或物理方法，所述試劑是未光氧化膜去除部分，稱為蝕刻。有蝕刻的許多方法，化學蝕刻，離子蝕刻，電解蝕刻等。

刻蝕技術(shù)不僅是沿厚度研究方向，而且也可沿橫向發(fā)展進行，稱之為一個側(cè)面刻蝕。側(cè)面刻蝕越小，刻蝕相關(guān)系數(shù)越來越大，制品結(jié)構(gòu)尺寸計算精度就越高，精度以及穩(wěn)定性質(zhì)量越好。由于有側(cè)面刻蝕的現(xiàn)象，使刻蝕成的窗口比光致抗蝕劑窗口大，因此在設(shè)計時要進行分析修正。

5、 剝膜與檢查

（1）剝膜：從剝膜液中除去光刻膠稱為剝膜。

（2）檢查：汽提后，工件會被洗凈，修剪，檢查外觀，條帶大小，粒度，端部形狀，房屋性能，一些血液性能的質(zhì)量。