對于電影的測量，一般的測量工具都無法做到這一點，在這個時候精密測量就顯得尤為重要。的介質的品種，并在電子工業的金屬薄膜半導體，光學和化學工業已被廣泛應用。該膜的厚度對設備或儀器的性能有直接影響。例如，厚度和硅微電路的介電層的組合物中，以半導體行業非常重要的，這些層的厚度將集成電路的性能和可靠性期間確定。

采用一個平面設計工藝技術制造的集成系統電路，通常在硅襯底或硅片上有這樣一層熱生長的二氧化硅絕緣層，這薄薄的二氧化硅介質層使得硅襯底的表面態密度影響降到最小，并且可以通過有效防止PN結吸收沾污氣而使硅表面形成穩定。

在MOS器件中，二氧化硅層的厚度決定了這一時期的開路電壓。 硅片上某一區域過厚的氧化硅層會導致該區域的開啟電壓增加，甚至硅片上二氧化硅厚度的微小變化會導致元件失配，從而降低器件的心理復雜性。 因此，在線監測和控制各種膜厚測量機的生產過程，以提供高靈敏度和高精度是更重要的。

它已經進入的膜厚度范圍從納米微米。一種集成電路，例如，各種膜已被純化約為10nm至100nm到材料結構的研究已經幾乎水平為0.1nm。從微米到納米各種，大分類測量膜厚度的方法：

1、 機械法：稱量法、機械探針法、光學工程機械法及磨角染色測微法等。

2.電法：磨角電探針法，電阻法，電容電感法，晶體振蕩法和電子射線法等..

3，光電方法：光電最大方法（增稠，可變角，可變波長），干涉全息攝影法，X射線法和掃描電子顯微鏡，俄歇電子能譜，和類似物。

上面進行介紹的這些研究方法中，最常用的方法是光電法，其中有我們很多教學方法其精確度都可以可以達到納米級的精度。

稱重法可檢測各種膜厚，精度高，量程大的測量大面積膜，并可通過鍍邊實現自動監測，仍用于振動鍍膜過程.. 機械探針法可以用杠桿放大器和電子放大器測量。 該方法具有亞微米級精度和較大的測量范圍，但膜層需要開槽檢測。

進行與未涂覆的光學比較器比較直接在基板的讀取厚度，由于光學變焦桿機構，可測的0.1微米的厚度。細長的電阻絲可以與基準板，基準片材長度，一定寬度，并且與其它方法的薄層電阻的電鍍厚度的預測相反的關系被鍍，可以通過電阻的厚度直接給出，它可以被鍍側邊緣測量，有效精度。點探針法可在電阻的厚度來測量出面。磨角電探針染色方法和通過一個小的角度被測量坡口研磨。

染色技術或者電探針則是企業為了重要指示膜層與基片的分界線。對于學生測量PN結的寬度很有可能使用時間價值，但精度要求不高。電容法是用來測價質膜。電感法是測量金屬鍍層的。