化合物半導(dǎo)體用的多晶硅生產(chǎn)。化合物廢氣半導(dǎo)體的原料由元素周期表上Ⅱ~Ⅵ族的元素構(gòu)成，代表性的元素有鎵（Ga）、砷（As）、磷（P）、銦（In）等。化合物半導(dǎo)體單晶與Si單晶有些區(qū)別，一般采用液封CZ拉伸法（EC: Liquid Encapsulated Czochralski）制造，但是也有用合成方法生成多晶化合物并以此為原料的做法。例如，制造GaP時(shí)，按照其化學(xué)當(dāng)量的比將Ga和P裝入石墨管，加蓋封閉，在加壓的同時(shí)，用中頻感應(yīng)加熱至大約1500℃，使之熔融，反應(yīng)生成GaP的合成多晶。這里所用的石墨要求具有高純度、高熱導(dǎo)性和高溫強(qiáng)度等特性。

由于人造石墨體積密度比鋁還輕，在常壓下不熔化蒸氣壓很小，有良好的導(dǎo)電性能，導(dǎo)熱系數(shù)比鐵、錫、鎳、汞和鉑高，而線膨脹系數(shù)卻很低，大體與玻璃相同，具有良好的耐熱沖擊性能和穩(wěn)定性以及高的電子逸出功并不與汞起反應(yīng)等特性，因此，它可作為水銀整流器陽(yáng)極、柵極和大型電子管用石墨制品的陽(yáng)極和柵極等。

水銀整流器和電子管用石墨制品的性能

水銀整流器和電子管用石墨制品要求灰分雜質(zhì)含量少，機(jī)械強(qiáng)度高。灰分雜質(zhì)在陽(yáng)極表面能放射電子，特別有害的是半導(dǎo)體的雜質(zhì)，如硅、堿金屬和堿土金屬（包括鈉、鉀、鈣、鎂及其氧化物）。因?yàn)檫@些雜質(zhì)容易使整流器產(chǎn)生逆弧現(xiàn)象。有泵陽(yáng)極灰分要求小于0.035％，而無(wú)泵水銀整流器陽(yáng)極裝入機(jī)體后，除解體檢修外，不能抽氣。如存有灰分雜質(zhì)影響更大，要求灰分小于0.01％。此外，還要求石具有一定的機(jī)械強(qiáng)度，表面加工均勻一致，氣孔率小、致密等。

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